杭州微纳核芯电子科技有限公司招聘DRAM接口设计工程师
招聘职位:
DRAM接口设计工程师 搜索同类职位岗位职责参与DRAM接口数字前端设计与实现,协助完成RTL编码、功能验证及综合优化;或参与接口相关模拟电路模块设计,协助完成原理图设计、仿真验证与版图规划指导。参与DDR/LPDDR等协议分析、时序优化及低功耗方案设计(数字方向);或参与PLL/DLL、均衡电路(CTLE/DFE)等关键模拟IP的设计与性能评估(模拟方向)。参与信号完整性(SI)或电源完整性(PI)的协同仿真分析,理解三维集成环境下高速信号链路的关键挑战。协同验证与测试团队,参与系统级仿真、回片测试及量产问题定位与性能优化。撰写设计文档,跟踪存储接口领域前沿技术。任职要求1. 教育背景微电子、集成电路设计、电子工程等相关专业,2027届硕士或博士毕业生。扎实掌握数字集成电路设计或模拟集成电路设计、半导体器件物理等核心课程知识。2. 专业技能电路设计基础: 具备扎实的电路设计基础,理解芯片设计全流程基本概念。编程/设计工具(满足其一):数字方向基础: 熟练使用Verilog/SystemVerilog,熟悉VCS/Design Compiler/SpyGlass等EDA工具,理解时序分析与低功耗设计基本方法。模拟方向基础: 熟练使用Cadence Virtuoso、Spectre/HSPICE等电路设计与仿真工具,了解版图设计及物理验证(DRC/LVS)基本流程。接口协议基础: 了解DDR/LPDDR/GDDR等高速接口协议或JEDEC标准基本概念者优先。3. 项目/科研经历(满足任一即可)有DRAM接口、SerDes、高速并行接口或相关存储控制器设计课题经历。有PLL/DLL、CTLE/DFE均衡电路、高速驱动器/接收器等模拟IP设计课题经历。参与过信号完整性(SI)或电源完整性(PI)分析相关课题或项目。参与过芯片设计全流程项目(从设计到流片),有实际流片经验者优先。4. 综合素质能熟练阅读英文技术文档与协议规范。具备良好的逻辑分析与问题排查能力,对信号完整性、时序收敛等高速接口核心问题有钻研兴趣。具备良好的团队协作精神和跨部门沟通协调能力。加分项熟悉JEDEC DDR协议(DDR4/DDR5/LPDDR5)或DFI接口协议。了解三维集成技术(TSV、微凸块)基本概念及对电路设计的影响。数字方向:熟悉SystemVerilog断言(SVA)或UVM验证方法学;有低功耗设计(CPF/UPF)经验。模拟方向:熟悉电磁仿真工具或SystemVue等系统级仿真工具;有先进工艺节点(如12nm/7nm)下模拟设计经验。
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